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PBSS8110D中文资料

PBSS8110D图片

PBSS8110D外观图

  • 大小：97.82KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.7mm
  • 封装类型：TSOP
  • 尺寸：1 x 3.1 x 1.7mm
  • 引脚数目：6
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：700 mW
  • 最大发射极-基极电压：5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.05 V
  • 最大直流集电极电流：1 A
  • 最大集电极-发射极电压：100 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.2 V
  • 最大集电极-基极电压：120 V
  • 最小直流电流增益：80 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：100 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极小信号
  • 配置：单四集电极
  • 长度：3.1mm
  • 高度：1mm

PBSS8110D供应商

更新时间:2023-01-10 12:25:53
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